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手持式四探針測試儀

產(chǎn)品時間:2024-10-15

簡要描述:

基本技術(shù)參數(shù)

1. 測量范圍、分辨率

電 阻: 0.010 ~ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ~ 10 Ω

電 阻 率: 0.010~ 20.00kΩ-cm,分辨率0.001 ~ 10 Ω-cm

方塊電阻: 0.050~ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ~ 10 Ω/□

2. 可測材料尺寸

手持方式不限材料尺寸,但加配測試臺則由選配測試臺決定如下:

直 徑:

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手持式四探針測試儀 2016新款四探針電阻率測試儀 型號:HD-M-3

概述

HD-M-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

成套組成:由HAD-M-3主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測試臺。

儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用輕觸按鍵輸入;具有零位、滿度自校功能;手動/自動轉(zhuǎn)換量程可選;測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動場合操作使用!

探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量。配探頭,也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的手持式導(dǎo)電性能的測試。

基本技術(shù)參數(shù)

1. 測量范圍、分辨率

電 阻: 0.010 ~ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ~ 10 Ω

電 阻 率: 0.010~ 20.00kΩ-cm,分辨率0.001 ~ 10 Ω-cm

方塊電阻: 0.050~ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ~ 10 Ω/□

2. 可測材料尺寸

手持方式不限材料尺寸,但加配測試臺則由選配測試臺決定如下:

直 徑:SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm。

SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。

長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm。.

測量方位: 軸向、徑向均可.

3. 量程劃分及誤差等級

量程(Ω-cm/□)

2.000

20.00

200.0

2.000k

20.00k

電阻測試范圍

0.010~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~50.00k

電阻率/方阻0.010/0.050~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~20.00k

基本誤差±1%FSB±2LSB±2%FSB±2LSB

4) 適配器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電

5) 外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈 重:≤0.3kg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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